描述:SZMB-9-B防爆型磁電轉(zhuǎn)速傳感器:Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而化鎵典型工作電流為2 mA。作為低弱磁場(chǎng)測(cè)量,我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越好。
SZMB-9-B防爆型磁電轉(zhuǎn)速傳感器
轉(zhuǎn)速傳感器由磁敏電阻作感到元件,是新型的轉(zhuǎn)速傳感器。中央部件是采用磁敏電阻動(dòng)作檢測(cè)的元件,再經(jīng)歷全新的信號(hào)打點(diǎn)電途令噪聲消重,效力更完備。通過(guò)與其它類(lèi)型齒轉(zhuǎn)速傳感器的輸出波形比照,所測(cè)到轉(zhuǎn)速的偏差極小以及線性個(gè)性具有很好的類(lèi)似性.感到對(duì)象為磁性資料或?qū)Т刨Y料,如磁鋼、鐵和電工鋼等。當(dāng)被測(cè)體上帶有突出(或凹陷)的磁性或?qū)Т刨Y料,跟著被測(cè)物體轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),傳感器輸出與回旋頻率干系的脈沖信號(hào),抵達(dá)測(cè)速或位移檢測(cè)的發(fā)訊主意。
SZMB-9-B防爆型磁電轉(zhuǎn)速傳感器
簡(jiǎn)介
磁敏式傳感器都是利用半導(dǎo)體材料中的自由電子或空穴隨磁場(chǎng)改變其運(yùn)動(dòng)方向這一特性而制成的。(磁電效應(yīng))。按其結(jié)構(gòu)可分為體型和結(jié)構(gòu)兩大類(lèi)。
體型的有霍爾傳感器,其主要材料InSb(銻化銦)、InAs(化銦)、Ge(鍺)、Si、GaAs等和磁敏電阻InSb、InAs。
結(jié)型的有磁敏二極管Ge、Si,磁敏晶體管Si。則材料的電阻將減小;如果磁化方向轉(zhuǎn)向平行于電流的方向,則材料的電阻將增大。。除上述應(yīng)用外,磁電式傳感器還常用于扭矩、轉(zhuǎn)速等測(cè)量。
磁阻傳感器,磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種磁敏傳感器。采用的半導(dǎo)體材料于霍爾大體 相同。但這種傳感器對(duì)磁場(chǎng)的作用機(jī)理不同,傳感器內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng)方向與被檢磁場(chǎng)在一平面內(nèi)。(順便提醒一點(diǎn),霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時(shí) 應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響,而制造磁阻器件時(shí)努力避免霍爾效應(yīng)(在計(jì)算公式中,互為非線性項(xiàng))。在磁阻器件應(yīng)用中,溫度漂移的控制也是主要矛盾,在器件制 備方面,磁阻器件由于與霍爾不同,因此,早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大,現(xiàn)在多制成單臂(兩只磁敏電阻串聯(lián))主要是為補(bǔ)償溫度漂移。目前也有 全橋產(chǎn)品,但用法(目的)與霍爾器件略有差異。據(jù)報(bào)導(dǎo)磁阻器件的響應(yīng)速度同霍爾1uS量級(jí)。